半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流 I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh ，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。
回收传感器，霍尔传感回收原理简述如下：激励电流 I 从 a 、 b 端流入，磁场 B 由正上方作用于薄片，这时电子e 的运动方向与电流方向将受到洛仑兹力 FL 的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E。电子积累得越多， FE 也越大，在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。
由实验可知，流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度 B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向霍尔电势的方向也随之改变，霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场
